说起充电桩设计，试试80KHz开关频率的高效IGBT功率模块

伴随着新能源汽车的政策利好，充电桩市场也异常火爆，现在的充电桩有两种，一种为交流充电桩，一种为直流充电桩。相比与交流充电桩，直流充电桩的显著优势就是充电功率大，可以实现快速充电，因此直流充电桩是市场发展的一个重要方向。

通常直流充电桩为了实现高效节能，对效率要求比较高，现在流行的拓扑结构为，三相交流输入经过维也纳整流+DC/DC输出的方式。由于直流充电桩的母线电压在800V左右，DC/DC部分通常采用基于三电平的LLC谐振实现ZVS和ZCS，最终达到高效。直流充电桩的DC-DC部分拓扑电路如图1所示。

图1：充电桩DC-DC拓扑图

LLC的拓扑必须要求开关频率高，才能体现它的优势，通常的MOS管方案，虽然开关频率比较高，但这些MOS功率很难做的很大。以Vincotech的H桥IGBT功率模块10-FY074PA100SM-L583F08为例，该模块为650V/100A，同时基于Vincotech的H5 IGBT晶圆，其最大开关频率可以做到80KHz，可以实现30kW以上的大功率输出，非常适合直流充电桩设计。该功率模块结构如图2所示。具体产品应用信息和购买请联系世强。

其显著特点如下：
· 高效H桥IGBT功率模块。
· Vincotech H5晶元，最高工作频率达到80KHZ。
· 集成温度检测、快恢复二极管和电容。
· 具有低电感设计的12mm高度外壳封装。
· 主要市场：直流充电桩的三电平逆变部分。

图2：Vincotech的H5功率模块