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高压栅极驱动参数设置与PCB布局布线要求
主要讨论电路的基础元器件,比如字句电路和栅极电阻。半桥的寄生参数,以及如何利用和避免这些参数带来的影响。以及在设计PCB时候的一些建议。
这里所讲述的情况,针对的是IR典型的单块高电压悬浮自举电路。
典型的自举电路如下:
此电路的有点是简单,功耗低,只需要一个二极管和一个电容就可以搞定。
缺陷为,占空比和导通时间方面有限制,主要是电容刷新电荷的时间造成的影响。
好吧,难点1来了,这个电容如何选择:
看看这个电压最大的降幅,公式如下:

也就是说,电容刷新一次,必须至少能够提供给需要电荷的地方供电,需要提供电荷的地方包括:

这里,如果使用电解电容,则ESR会很大,并且你也不好计算,所以建议不要用点解电容。不知道ERS是什么东西?

   ESR,是EquivalentSeriesResistance三个单词的缩写,翻译过来就是“等效串连电阻”。

   理论上,一个完美的电容,自身不会产生任何能量损失,但是实际上,因为制造电容的材料有电阻,电容的绝缘介质有损耗,各种原因导致电容变得不“完美”。这个损耗在外部,表现为就像一个电阻跟电容串连在一起,所以就起了个名字叫做“等效串连电阻”。

  ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。

  比如,我们认为电容上面电压不能突变,当突然对电容施加一个电流,电容因为自身充电,电压会从0开始上升。但是有了ESR,电阻自身会产生一个压降,这就导致了电容器两端的电压会产生突变。无疑的,这会降低电容的滤波效果,所以很多高质量的电源啦一类的,都使用低ESR的电容器。


根据下面的公式可以计算这个电荷,以及需要的电容:

这里还只考虑了电容充电,一些PWM的场合,还需要考虑占空比,以及特殊的调制,还需要考虑到这些特殊情况,来完成自举电容的设计。

自举电路需要考虑的几个重要部分:
电压纹波:
三种情况会导致自举电容的改变,
第一种是-Iload<0,.VCEON有电流流过,此时VBS=VCC-VF-VCEON,此时需要最大的电荷量,VBS是最小的。
第二种是-Iload=0,此时没有负载,VBS=VCC-VF。
第二种是-Iload>0,VBS是最大的。
所以我们需要考虑的是第一种情况,这样可以避免VBS比较大的纹波出现。

自举电阻:这个是限制充电的时间的,如果这个电阻没有,充电可能出线尖峰,这个具体需要根据条件来设置。
自举电容:上面讲到了ESR,那么ESR需要满足什么样的条件?公式如下:

如果必须用到电解电容,建议并联一个小瓷片电容来改善Dvbs/dt,这样做的目地也是为了减小等效电阻。
自举二极管
自居二极管必须有足够快的反向时间,Trr必须小于100ns,1N4148的Trr值如下,可以满足要求。
另外,反向电压也必须大于电源的电压,1N4148的参数如下,也可以满足57等小驱动的要求:

栅极电阻的选择
开关的导通和关闭速度可以通过此电阻来进行控制,下面介绍一些选择栅极电阻的一些基础要求,以IGBT为例,参数的定义如下图所示:

栅极电阻用来匹配开关时间和输出电压的斜率,下面分别介绍。
开关时间:
这个时间可以根据Qge和Qgc来进行计算。如下:

下面以IGBT为例,计算的结果如表所示:


输出斜率
输出斜率的计算公式如下:

按照公式计算出来的RGon如上表2所示。
另外一个是放电的控制,如上图表3所示,放电的通路如下:下管导通到地放电。

寄生参数的影响:下图是寄生参数对电路的影响图:

最主要的寄生参数是电感,快速的电流变化和电压变化都会影响到栅极驱动。
另外一个重要的是大功率电路和小功率信号的共地问题,要注意避免地环路,以及地线过于靠近开关电路。这样可以减小驱动到地的噪声耦合。在共地方面,建议用星型的结构,这样避免地引脚和开关驱动的地间的干扰。

VSS-COM问题:
这样的情况在下面的电路情况下出现 :


这种情况下,低端的晶体管关断,通过寄生的二极管进行续流,此时电流从GND流向COM,从寄生二极管流向负载。
而从上图可知,因为存在寄生电感,所以电流不能瞬间关断,也就是说最好有一个缓冲的关断电路,此时栅极电阻就起到了这个作用。
如果出现高端MOS管短路,此时在COM端出现连续的电流变化率很大的情况,可能会烧坏掉晶体管,可以在COM端接一个Rcom的电阻,以及Ccom,来设置时间常数。同时因为存在杂散电容,VSS和VCC的二极管的存在将导致栅极电压被推高从而影响到VCC,可以加入一个稳压二极管,如下图所示:


VSS-VS问题:
我们知道,低端晶体管关断的时候,电流从GND经过寄生电感,流过续流二极管到负载,这个时候,VS的电压就低于VSS,如下:

当高端的晶体管短路的时候,为了避免低管损坏,可以加入一个RVS,这种情况下,自举电阻必须把此电阻计算进入,这个电阻选择几欧姆的电阻就行。

PCB布局布线问题
高低压分开:为了最小化信号地和悬浮地之前的耦合,推荐悬浮高压的元器件和小信号的元器件分开布局。
铺地:为了避免耦合,高压悬浮端不要防止地线。
供电电容:供电电容尽可能的贴近芯片引脚,尤其在快速充放电的过程中。这样减小寄生电感和寄生电阻的影响。
栅极驱动环路:这个驱动环路相当于一个接受和发送的天线,所以尽可能的要减小这个环路的面积。同时,栅极电阻导线会产生寄生电感,阻碍导通的速度,这样也需要一个尽量小的环路。

下面以IR2114为例,布局布线如下:

这里充分考虑了上面布局和布线的要求,并且低端布地,高端没有分布地线。栅极环路尽可能小,以及电容尽可能近的放置。这样也可以看出,在设计集成电路的过程中,引脚的分布也确实很有讲究。

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