光刻工艺的基本步骤之一，也被称为旋转涂胶或甩胶[1]，成底膜处理后，硅片要立即采用旋转涂胶的方法涂上液相光刻胶材。硅片被固定在一个真空载片台上，它是一个表面上有很多真空孔以便固定硅片的平的金属或聚四氯乙烯盘。一定数量的液体光刻胶滴在硅片上，然后硅片旋转得到一层均匀的光刻胶图层。不同的光刻胶要求不同的旋转涂胶条件[2]。
涂胶时的晶圆片表面必须是清洁干燥的。如果晶圆搁置较久，就需要重新进行清洁处理后再涂胶。晶圆片最好在氧化后立即涂胶，此时其表面未被沾污[3]。
胶的厚度可以通过旋转的速度控制。除了通常的高速旋转的方法外，光刻胶还可以用喷涂(spray coating)的方法（喷雾器的原理）施加到衬底表面[1]。
光刻工艺的八个基本步骤
为方便起见，可将光刻的图形形成过程分为8个步骤，即气象成底膜，旋转涂胶，软烘，对准和曝光，曝光后烘焙，显影，坚膜烘焙，显影检查[2]。
光刻涂胶方法
旋转涂胶有4个基本步骤（图1）[2]：
分滴。当硅片静止或旋转得非常缓慢时，光刻胶被分滴在硅片上。
旋转铺开。快速加速硅片的旋转到一高的转速（rpm）使光刻胶伸展到整个硅片表面。
旋转甩掉。甩去多余的光刻胶，在硅片上得到均匀的光刻胶胶膜覆盖层。
溶剂挥发。以固定转速继续旋转已涂胶的硅片，直至溶剂挥发，光刻胶胶膜几乎干燥。
图1 旋转涂胶的四个步骤
旋转涂胶设备
硅片旋转涂胶在自动硅片轨道系统中进行，这种系统具有自动硅片传送装置，在各步操作中传送硅片。自动传动可使颗粒产生和硅片损伤最小化[2]。
旋转涂胶参数
滴胶量很大程度上取决于光刻胶的粘度，硅片上光刻胶厚度和均匀性是非常关键的质量参数，环境控制也是光刻胶分滴的重要参数之一[2]。
去除边圈
在硅片旋转过程中，由于离心力光刻胶向硅片边缘流动并流到背面。光刻胶在硅片边缘和背面隆起叫边圈。当干燥时，光刻胶剥落并产生颗粒。这些颗粒可能会导致沾污和故障。因此光刻胶旋转涂胶器配备了一种边圈去除装置，还有一些光刻设备在正常的硅片曝光后用激光曝光硅片的边缘，这种曝光软化了光刻胶并使边圈在正常的显影步骤中或者被设计的喷嘴喷出溶剂去除。
参考文献：
[1]崔铮，微纳米加工技术及其应用，高等教育出版社，2013.4，24-24
[2] Michael Qurik, Julian Serda（著），韩郑生等（译），半导体制造技术，电子工业出版社，2015.06，317-318，330-333
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