宽I / O是LPDDR存储器的3D对应物,它选择了集成以达到可能的最低功耗。预计这些存储器将使用TSV直接连接到CPU芯片,直接集成在SoC之上。同样,根据TSV技术的密度和大小,实现很宽的总线也是可能的。但是,这种集成也将需要SoC中的TSV,这会消耗大量宝贵的逻辑区域,因此非常昂贵。这可能是为什么我尚未看到使用此技术的任何商业产品的重要原因。有趣的是,第一个Wide I / O标准实现了SDR接口,但是第二代标准则又转向了DDR接口。
结论
希望您已经了解了更多不同的DRAM。最后,每个标准都实施了相同的思想以提高每一代的带宽,包括诸如更大的预取缓冲区,存储体分组,通道划分,差分时钟,命令总线优化和刷新优化之类的技术。每个标准都有自己的重点——第一类是关注容量和灵活集成(DDR和HMC),第二类是着重于最低功耗(LPDDR和Wide I / O),第三类的重点则在于最高带宽(GDDR和HBM)。 有趣的是,对于每个目标市场,3D技术为该表带来了什么。3D集成允许宽总线和低电阻,低噪声的互连。尽管技术和收益是革命性的,但在大多数情况下,架构原理和权衡实际上并没有太大不同。