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NAND VT曲线
当CELL处于擦除状态时,可以把CELL当作一个普通MOS
只需要在栅极加较小电压就能使MOS管导通
当CELL处于编程状态时,就是把不同数量电子注入到了MOS浮删,从而在衬底到浮删之间形成一个电场,为了导通MOS管,需要在栅极加更大的电压克服这个衬底指向浮删的电场
往浮删注入越多的电子,衬底到浮删形成的电场越强,导致需要在MOS栅极需要加更大电压才能导通
所以往浮删注入不同数量的电子,CELL就处在不同的VT曲线状态
通过判断CELL的导通电压,就可以知道CELL状态
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