技术标签:
电路金属-氧化物-半导体(MOS)场效应管
N沟道增强型MOSFET
栅源加电压,在电场作用下产生沟道。产生沟道的门限开启电压VT。
漏源加电压,产生电压梯度,导致沟道夹断。预夹断的临界条件
输出特性
特性方程
可变电阻区
饱和区
N沟道耗尽型MOSFET
栅源加负电压,在电场作用下沟道减小。耗尽沟道的夹断电压VP。
输出特性
P沟道MOSFET
沟道长度调制效应
理想情况下,MOSFET工作在饱和区时,漏极电流与漏源电压无关。而实际上,漏源电压对沟道长度L的调制作用,漏源电压增加时,漏极电流会有所增加。因此,输出特性公式需要进行修正
典型器件,λ的值近似表示为,单位μm
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