近红外碲化汞HgTe量子点

HgTe 量子点的化学合成和加工的简易性，以及具有定制的等离激元响应的纳米天线直接激光制造的可扩展性，为设计用于各种应用的红外范围设备迈出了重要的一步。 量子点与纳米等离子体基片的结合提高了红外性能，并克服了隔离运行时对量子点施加的基本物理限制。 除此之外，研究人员发现还可以克服光致发光光谱中由于用于稳定量子点的有机配体的红外振动带而引起的负吸收下降。

图a 在激光印刷的金纳米凸点阵列上方涂覆的HgTe QD层的图片展示。  

图b 侧视图（45度视角）SEM图像，显示以1μm间距打印的Au纳米凸点阵列（比例尺对应于1 µm）。顶部插图的特写SEM图像显示了纳米凸点阵列的周期与“有效”周期之间的差异。底部插图显示了在玻璃基底上的Au膜生产的两个大型（3×9 mm2）纳米凸点阵列的照片。  

图c 以1 µm间距打印的等离子体纳米凸点阵列的典型傅里叶变换红外（FTIR）反射光谱（绿色曲线）。给定形状的纳米凸块的局部表面等离子体激元共振（LSPR）（橙色虚线）。 FLPR表示一阶晶格等离子体激元共振。插图提供了在1480 nm波长的光滑Au膜表面上方50 nm处计算出的EM场的z分量（Ez / E0）的分布。圆圈表示纳米凸点的位置。  

图d 研究中使用的HgTe量子点的TEM图像（比例尺为20 nm）；插图显示所选QD的放大图（比例尺为5 nm）。  

图e HgTe QD沉积后以1μm（样品）的间距打印的等离子纳米凸点阵列的FTIR反射光谱（虚线）。沉积在晶体Si基板（黑色）和样品（紫色）上的3.9 nm HgTe QD层的发射光谱（实线）。  

图f 沉积在参考Si基板（黑色）和样品（紫色）上的5.0 nm尺寸的HgTe QD层的发射光谱。同时显示了涂有QD层的相应等离激元纳米凸点阵列的归一化FTIR反射光谱（绿色虚线）以及HgTe QD（红色）的DDT（十二烷硫醇）配体的近红外吸收光谱的一部分。

量子点定制产品

3-巯基丙酸修饰的CdSe/ZnS量子点

γ-环糊精-叶酸包合物修饰的CdSe/ZnS量子点

巯基乙酸修饰量子点CdSe/ZnS

二氧化硅修饰水溶性Cdse/ZnS荧光量子点

巯基丙酸修饰CdSe/ZnS核壳型量子点

环糊精修饰的CdSe/ZnS量子点

偶氮苯类液晶修饰的CdSe/ZnS核壳量子点

11-巯基烷酸修饰的核/壳量子点CdSe/ZnS

链霉亲和素修饰的CdSe–ZnS量子点

聚苯乙烯修饰的CdSe/ZnS荧光量子点

氨基修饰的水溶性CdSe/ZnS量子点

叶酸FA修饰CdSe/CdS/ZnS荧光量子点

氯仿修饰CdSe-ZnS量子点

辛胺修饰CdSe/ZnS量子点

聚酰胺-胺型树状大分子修饰CdSe/ZnS量子点

巯基乙酸(TGA)和十六烷基三甲基溴化胺(CTMAB)修饰CdSe/ZnS量子点

低聚倍半硅氧烷POSS修饰CdSe/CdS/ZnS量子点

以上资料来自小编axc,2022.05.13