锗（Ge）用途\主要性能参数介绍

锗（Ge）

用途：制作半导体器件，红外光学器件，及太阳能电池衬底等材料。

主要性能参数

生长方法提拉法

晶体结构立方

晶格常数a=5.65754 Å       

密 度5.323g/cm3

熔点937.4℃

掺杂物质不掺杂掺Sb掺In或Ga

类型/NP

电阻率＞35Ωcm0.05Ωcm0.05~0.1Ωcm

EPD＜4×103∕cm2＜4×103∕cm2＜4×103∕cm2

尺寸10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，

dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm

厚度0.5mm，1.0mm

抛光单面或双面

晶向<100>、<110>、<111>、±0.5º

晶面定向精度:±0.5°

边缘定向精度:2°（特殊要求可达1°以内）

斜切晶片可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片

Ra:≤5Å（5µm×5µm）

供应产品目录：

Ta2NiSe5晶体Ta2NiSe5 crystals

PbSnSe2晶体PbSnSe2 crystals

CuIn7Se11晶体CuIn7Se11 crystals

ZrSe3 三硒化锆晶体ZrSe3 crystals

ZrSe2 二硒化锆晶体ZrSe2 (Zirconium Selenide)

WTaSe2 钨钽硒晶体WTaSe2  crystals

WSe2 二硒化钨晶体WSe2  crystals

VSe2 硒化钒晶体VSe2 crystals

TiSe2 硒化钛晶体TiSe2 crystals

TaSe2(2H) 硒化钽晶体TaSe2(2H) crystals

SnSe2 硒化锡晶体SnSe2 crystals

SnSe 硒化亚锡晶体SnSe crystals

ReSe2 二硒化铼晶体ReSe2 crystals

PdSe2 二硒化钯晶体PdSe2 Crystals

NbSe2-2h 二硒化铌晶体NbSe2-2h crystals

MoWSe2 钼钨硒晶体MoWSe2 crystals

MoSSe 钼硫硒晶体MoSSe crystals

MoSe2 二硒化钼晶体MoSe2 crystals

MnPSe3 晶体MnPSe3 crystals

InSe 硒化铟晶体InSe crystals

In2Se3晶体In2Se3 crystals

HfSe2 硒化铪晶体HfSe2 crystals

GeSe 硒化锗晶体GeSe crystals

GaSe 硒化镓晶体GaSe crystals

FePSe3 晶体FePSe3 crystals

Bi2Se3 硒化铋晶体Bi2Se3 crystals

Bi2O2Se晶体Bi2O2Se crystals

TiSe2 二硒化钛晶体(Titanium Diselenide)

TaSe2 二硒化钽晶体(Tantalum Diselenide)

ZrSe3 三硒化锆晶体Sb2Se3 Diselenide

Sb2Se3 硒化锑晶体(Antimony selenide)

yyp2021.6.23