电力场效应管又名电力场效应晶体管分为结型和绝缘栅型,通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal Oxide Semiconductor FET),简称电力MOSFET(Power MOSFET),结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static InductionTransistor——SIT)。
中文名电力场效应管
外文名电力场效应晶体管
分类结型和绝缘栅型
简称电力MOSFET
通常指MOS型
沟道分类P和N
小功率MOS管是横向导电器件。
电力MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET(Vertical MOSFET)。
按垂直导电结构的差异,分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFET和具有垂直导电双扩散MOS结构 的VDMOSFET(Vertical Double-diffused MOSFET)。
这里主要以VDMOS器件为例进行讨论。
电力MOSFET的工作原理(N沟道增强型VDMOS)
截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。
P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。
导电:在栅源极间加正电压UGS
当UGS大于UT时,P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电 。
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