光刻工艺是集成电路制造过程中最直接体现其工艺先进程度的技术，光刻技术的分辨率（resolution）是指光刻系统所能分辨和加工的最小线条尺寸，是决定光刻系统最重要的指标，也是决定芯片最小特征尺寸的原因。它由瑞利定律决定：
因而提高光刻分辨率的途径有：（1）减小波长；（2）增加数值孔径NA；（3）减小k1. 随着集成电路的发展，为适应分辨率不断减小的要求，光刻工艺中应用的光波的波长也从近紫外（NUV）区间的436nm、405nm、365nm 波长进入到深紫外（DUV）区间的248nm、193nm波长。193nm加上浸润式技术已应用到32nm工艺。
由于单次曝光的分辨率有限，空间周期不可能小于0.5λ/NA。比如，在1.35NA，193nm，最小空间周期是71.5nm，而ASML的最小标定空间周期是76nm。对于32nm技术节点，空间周期约为100nm。对于下一个节点22nm，空间周期将约为70nm，会小于71.5nm，所以必须使用double pattern technology。
下面讲下常用的double pattern technology：侧墙刻蚀技术(Spacer lifthography),这种技术在22nm及以下工艺节点已经得到广泛应用。如下图：
当在一层用两掩膜版的时候，需要额外考虑这两块掩膜版对准的问题（alignment）。要是对准失当，会引起寄生电容等参数的差异。如下图，左边是正确的掩膜对准，中间的电阻（红色）应该与两边的电阻（灰色）间距相等，但是右图，由于没有对准，中间红色电阻左移，与左边电阻的寄生电容偏大，而与右边的寄生电容偏小。所以在20nm DPT工艺下，我们需要考虑更多的的工艺角。
由于RC的差异而引入新增加的5种新的工艺角：
现在最先进的工艺节点已经在使用EUV光源和double pattern技术，最先进的光刻机只有荷兰ALML可以生产，貌似还不会卖给大陆，虽说之前报道说国内已经做出很先进的刻蚀机器，是一大进步，但是感觉国内在半导体设备方面，还是任重道远（挣着搬砖的钱，操着中南海的心）。
再聊聊一些工艺的问题，光刻工艺在很多foundary厂被认为是最关键的工艺，首先因为它决定了最小线宽；其次对产品良率影响很大，工艺比较复杂，出问题的可能性比较高；再次每一层图像的形成基本都要用的光刻，所以工艺时间长。另外对于产品的良率来说，对准问题真的非常关键，所以不是迫不得已，是不会做double pattern 技术的。
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