一种气相法二氧化硅的生产方法

1.一种气相法二氧化硅的生产方法,它包括有：先将生产三氯氢硅时副产的四氯化硅原料与氢气、空气以总摩尔比为1∶2.05～7∶5.1～198的投入量分别采用间接和直接两条路线进入燃烧反应器中,间接进入是指：将四氯化硅原料与部分空气先进入除杂气化器经除杂后再进入燃烧反应器,其中上述部分空气进入量占总空气量的1/5～1/15,除杂气化器的操作温度在45-90℃范围内；而氢气与剩余空气量直接进入燃烧反应器中；将四氯化硅与氢气、空气以上述的摩尔比连续地投入到燃烧反应器中进行反应,反应温度为1000～1200℃,反应生成二氧化硅一次粒子,燃烧反应器出口温度为200～300℃、出口压力在99.5-101千帕范围内；该反应生成物经聚集器聚集成聚集态粒子,经两个旋风分离器的两级旋风分离、以及双级空气喷射脱酸炉E喷射脱酸,脱酸炉内的脱酸温度为500-600℃,脱酸后到料仓,用真空压缩包装后即为成品；系统压力控制在85-101千帕范围内,聚集器入口温度为100-300℃；所述除杂气化器结构为：包括预除渣段、气化段、高沸物分离段三个功能区段,所述三个功能区段依次连接,所述预除渣段由多个排渣单元串联而成且各个所述排渣单元顶部相互连通,所述预除渣段前端的所述排渣单元顶部设置液体原料进料口,后端的所述排渣单元顶部设置低沸物排出口,每个所述排渣单元底部的渣料出口均连接排渣器；所述气化段设置气化段物料流动腔,所述气化段物料流动腔的物料入口即为所述预除渣段物料出口,所述气化段物料流动腔的物料出口即为所述高沸物分离段的物料入口,所述气化段物料流动腔内设置扰流板；所述高沸物分离段包括气液分离器、与所述气液分离器底部的高沸物出口连接的高沸物排放器,所述气液分离器顶部设置有用气相物料出口；所述预除渣段、气化段、高沸物分离段三个功能区段腔体外侧分别设有加热夹套。