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射频推挽场效应晶体管振荡器的高输出功率

射频推挽场效应晶体管振荡器的高输出功率  

 

射频推挽场效应晶体管振荡器的高输出功率

随着电路显示在这里,您可以创造高频率的电磁波非常高的输出功率。

可能的应用实验,无线电力传输,射频转发器,特斯拉线圈等。

依赖于线圈,电容器和冷却的晶体管的输出功率在20W的范围和更可以得到。

在很短的距离,其他电子电路可能会受到干扰甚至摧毁。广播, RFID技术,防盗,无线局域网,医疗器械(心脏起搏器! )可干扰大面积!

从来没有经营这条赛道上没有采取预防措施!

这可能是非法操作在你的国家!






电路:





这是一个标准的推拉力振荡器的基础上,功率MOSFET晶体管。

印刷电路板提供了安装空间的两个SK104散热器,这样可以显着的输出功率为这样一个小装置。


一个高分辨率的布局,点击图片!



组成部分的价值:


工作电压为15V直流

如果您希望使用较小的工作电压,则必须增加R2和R3的。振荡时开始上的压降R2的响应。 R3的达到了MOSFET的thresold电压,约。 4 ..至6V


场效应管: IRF510

受体1 ,的R4 100,000

R2的, R3的27K

碳四,碳五100u

的C1选择您想要的频率

C2 ,补体C3加州10 %的C1

素D1 , D2类15V Z型二极管


阿PushPull振荡器需要一个线圈的中心抽头。对于我的测试中我用12打开1毫米绝缘铜线,直径约40毫米。

该中心抽头连接到PAD1


频率范围从200kHz至10MHz时生成使用此线圈。



共振频率的计算方法是(约)




重要的!

电容器,特别是的C1应低ESR ,不然他们将会升温和被摧毁!


发光二极管连接到一个小的接收线圈照亮了约20厘米的距离。在10厘米,它成为热点,并最终被摧毁!
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