快速恢复二极管与肖特基二极管有什么区别？

快速恢复二极管是指反向恢复时间短(小于5us)的二极管，在这个过程中经常使用金掺杂。该结构采用PN结结构，并在某些情况下采用改进的pin结构。二极管正向压降高于普通二极管(1-2v)，反向耐压低于1200V。它可以分为快速恢复和超快速恢复，前者的反向恢复时间为数百纳秒或更长，而后者小于100纳秒。

肖特基二极管是一种二极管的基础上形成的势垒金属与半导体接触势垒二极管有正向电压降(0.4 - -0.5 v)(这个方法可以用来判断设备),反向恢复时间很短(10-40纳秒),和反向漏电流大,耐压低,一般低于150 v，主要用于低压应用，这两种管通常用于开关电源。

肖特基二极管与快速恢复二极管的区别:肖特基二极管的恢复时间约为快速恢复二极管的100倍，而肖特基二极管的反向恢复时间约为几纳秒。

前者具有低功耗、大电流、超高速等优点。

在快速恢复二极管的制造过程中，利用金掺杂和简单的扩散过程可以获得高开关速度和高耐压性能。目前，在逆变电源中，快速恢复二极管主要用作整流元件

肖特基二极管:反向耐压值较低，为40v-50v，上态电压降为0.3-0.6v，反向恢复时间小于10ns。这是“金属半导体结”二极管的肖特基特性。正启动电压很低。除材料外，金属层还可由金、钼、镍、钛等材料制成。

其半导体材料为硅或砷化镓，多为n型半导体。该器件由大多数载流子导电，因此其反向饱和电流要比有少数载流子的PN结大很多。由于肖特基二极管中少数载流子的记忆效应很小，因此肖特基二极管的频率响应只受RC时间常数的限制。其工作频率可达100GHz。此外，MIS(金属绝缘体半导体)肖特基二极管可用于制造太阳能电池或发光二极管。

快速恢复二极管:具有0.8-1.1v正向传导压降，35-85ns反向恢复时间。它可以快速切换开关，提高设备的频率和波形。在快速恢复二极管的制造过程中，利用金掺杂和简单的扩散过程可以获得高开关速度和高耐压性能。目前，在逆变电源中，快速恢复二极管主要用作整流元件。