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使用NMOS场效应管的白光烙铁控制电路65
使用NMOS场效应管的白光烙铁控制电路;原理简介:U1B组成一个单稳态电路,时间由R4和;如果您用的元件参数有点“离散”,那么有可能无论电;最好是能让电位器调到最小时约400度左右(大约是;计算如下,要求电压在Vmin=5.X,Vmax=;计算得出R2、R3的值后,取相近的阻值,再验算;对于T12的热电耦,11mV以上的电压对应的是4;“开环”调试:将运放3
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使用NMOS场效应管的白光烙铁控制电路
原理简介:U1B组成一个单稳态电路,时间由R4和C3决定。上电时,6脚为低电平,7脚输出高电平,通过9013使MOS管导通,烙铁芯通电升温。MOS导通时,电源电压通过R1加在LM358的3脚上,由于D1的限压,3脚得到约0.7V的电压,远大于2脚上毫伏级电压,使1脚输出高电平。零点几秒后,C3充满,7脚输出低电平,MOS断开,这时热电偶产生的电压通过R1加在LM358的3脚上,U1A接成比较器,比较烙铁芯的热电偶电压和控制电压的大小(对应200~350℃的温度,T12的电压范围应该在5.x mV至10 mV之间,电路通过VR、R2、R3提供同样范围的电压给2脚以供比较)。3脚电压小于2脚时,1脚输出低电平,C3通过U1A、D2放电,MOS管导通,烙铁芯继续加热;反之则停止加热。调整VR1就可以调整烙铁芯的温度。
如果您用的元件参数有点“离散”,那么有可能无论电位器怎么调,R3(22Ω)上的电压都超出了这个范围,导致后面的单稳电路状态无法翻转,那么T12只在刚上电的那一下有电压,之后就一直保持无工作电压了。您可观察LED,是否只在上电时亮了一下后面就不再亮了?如果是,请量一下电位器调到最大时,358的2脚上电压是多少mV(普通数字表的200mV档测就行)?一般只要调整一下R3和R2的取值,或者调一下431的输出电压,就能够正常工作了。
最好是能让电位器调到最小时约400度左右(大约是12mV以下),电位器最
大时温度约180度左右(约5mV)。
计算如下,要求电压在Vmin=5.X,Vmax=10mV, Vr电位器,稳压输出是V,那么R2=Vmin×Vr/(Vmax-Vmin),R3=R2×Vmax/V。
计算得出R2、R3的值后,取相近的阻值,再验算。Vmax=V/(R2+R3)×R3,Vmin=(Vr+R2+R3)×R3。
对于T12的热电耦,11mV以上的电压对应的是4~500℃的高温了,即使能烧到这温度,T12也很快会“玩完”,而且我们平时也不需要这样的温度。最理想的是电位器的整个调节行程对应的就是你平时用到的温度范围。
“开环”调试:将运放3脚到输出端的线断开,加一个多圈电位器,可调端接3脚,上接电源下接地,通过调节3脚电压,使它低于2脚,看此时电路是否工作在加热状态,反之调到高于2脚电压时,电路应该不加热。如果电路的工作状态不对,换358试试看。
Q:用万用表测烙铁头温度始终400度左右,灯常亮,358的2脚调电位器,电压在5.2mV~10mV变化,3脚电压0.3V左右,调电位器不变。
A:首先请您试试将T12的两脚对调,看看是否正常了。因为热电耦是有极性的,接反了会导致控制器一直加热不停。
3脚是T12中热电耦反馈回来的电压,如果您T12始终保持在一个温度,那么这个电压也应该是一个稳定的值,但是对“地”电压应该在5到10mV的范围才对。3脚的0.3V您是在T12通电加热期间测的吧,此时测到的0.3V应该是D1(4148)的正向压降。请在T12烧热以后,断电马上测量358的3脚电压,应该在5到15mV的范围之内,不应该有0.3V这么高的。
加电,在指示灯常亮的状态下,测量358的5脚、6脚电压,5脚应该为稳压块输出电压的一半左右,6脚应该接近稳压块的输出电压。如果5脚电压不正常,请检查R5/R6的阻值是否正确,如果是6脚电压不正常,可能是C3(105)电容漏电,试更换看看。如果5、6脚电压均正常,那就是358里的U1B坏了,换358试试。
要想达到PMOS的效果,就必须提高NMOS场管的G极电压。NMOS管的G极电压应该比电源电压高7 ~ 12V。根据这个想法,实际搭焊了两个电路,
证明使用NMOS是可行的,场管上的压降很小,在1.5A的电流下约0.1V,不加散热片,场管几乎感觉不到温升。使用NMOS场管的缺点是要增加一些零件,电路略微复杂,不如使用PMOS场管简单。
对于使用普通30W变压器作为电源的朋友,电路相对简单些,所增加的零件不多,只有8个零件,完全可以在原来电路板旁搭焊连接。
使用笔记本电源,上面的电路就不适合,需要增加一个自举升压电路。升压电路有多种形式,只要把电源电压提升10V左右,即可满足电路需要。
这个电路使用两只三极管,组成互补振荡升压电路。
实验时使用100μH~2.2mH,均可正常工作。
Q:上面图的Q4和下面图的Q6当稳压管用?
A:自举电路中的三极管反向使用,用来代替稳压二极管。小功率硅管eb结的反向击穿电压一般在7 ~ 9V间,性能稳定,不用挑选,使用方便。
如果身边没有合适的电感,也可以用报废节能灯里面的小磁环,自己绕一个升压变压器,用0.1 ~ 0.3mm的漆包线穿绕,或者用细导线也可。
LED2作为电源指示,同时给升压电路供电。
不用电感,用自举升压方式,我没有实验,先画了个草图,感兴趣的朋友可以试验下。
看到有朋友用NMOS代换PMOS做白光烙铁的控制电路,原升压部分需要使用电感,特地把我以前用在直流电机H桥驱动器里面的自举升压电路发上来,供大家参考:
图中是555供电跟主电源分开的情况,对于白光烙铁来说,只要供电电源不超过555的极限值就可以直接将+12V跟VDD端连接起来,在Vout端就可以得到高过VDD近一倍的电压,驱动NMOS是绝对没有问题的。
分析一下NMOS白光的自举部分。
http://bbs.yleee.net/viewthread.php?tid=3547&extra=page%3D1
当Q1导通时,R1、R2、D1、D2导通,同时对C1充电。
当Q1截止时,由于C1上还有电,而且对于D1、D2都是反偏,只要不高于击穿电压,D1、D2就不导通。同时C1上的电压通过R1、R2和VCC叠加,完成自举。
如果C1所存电压低于D1击穿压,输出就是VCC和C1的电压叠加。
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