经历了2020年的芯片事件，我们才知道，高端芯片方面，不仅仅在技术方面受制于美国，甚至连台积电去转加工都会被限制。而根据目前国产芯片工艺在量产方面的数据显示，投入到市场的纯国内量产芯片最高只有14nm的规格。要知道，从14nm到5nm，还需要经历12nm、10nm、7nm芯片。想要追赶，可不仅仅是按照芯片的迭代周期来算，台积电需要5年时间完成的转变，纯国内实现按照目前的进度可能需要10年以上才能实现。
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究其原因还是因为美国掌握了大量的基础零件、基础工程的技术。我们采购的ASML的光刻机，为什么不能运回来，那是因为组成ASML光刻机的零件中，有大量的技术/零件是由美国生产的，所以我们使用需要美国的许可。而说实话，目前我们所拥有的技术还只是设计技术，哪怕是设计技术，使用的设计软件还是来自美国。是因为我们没有出现过半导体行业的人才吗？并不是，但是这其中却发生了不少曲折。
15年前半导体行业也曾出现一批科学家
早在上世纪50年代，李爱珍就从复旦大学毕业了，跟其他女生学习金融、经济等不同的是，李爱珍学习的是材料学，毕业之后从事冶金方面的研究，但是因为冶金方面的技术人才还是较多的，而国内当时比较紧缺人才的是半导体行业，李爱珍也对半导体材料很感兴趣，于是就开始研究半导体。
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但是研究半导体有一个局限性，冶金可以不断地实验，不管是材料、机器等都有现成的。半导体不一样，虽然当时有一定的理论基础，但是因为基础材质的匮乏，再加上芯片技术，在国外也属于比较隐蔽的技术，很多方面都需要自己探索和实验，实验环境比较艰难，但是李爱珍还是坚持下来了，累计发表了超过200片论文、超过20项专利。也正是因为这样的成绩，其导师开始委派其去美国留学，因为当时美国的半导体技术已经全面领先其他国家。
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但是，这其中也有反对声。在上世纪80年代，外派的留学生其实还是很多的，毕竟国外的技术和环境相对还是有一定的优越性，这也导致了不少人去了之后就定居国外了。不过最终，李爱珍还是去了美国，去美国学习几年之后，李爱珍毅然选择回国，还是从事半导体行业的研究，因为注入了美国学习到的技术，所以半导体行业的研究进度更快，这个时候李爱珍也被提名为科学院院士，然而第一次落选了。
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落选之后，李爱珍也没有放弃，因为不是谁都能够一次入选，随后从2001-2006年，这几年时间，李爱珍又经历了三次评选，最终的结果仍然是落选，在2005年末参与第四次评选的时候，李爱珍已经69岁了，年龄问题也是落选的原因之一。2006年，70岁的李爱珍去了美国，去美国1年之后，李爱珍被评选为美国院士，也是美国第一位中国女院士。而李爱珍在美国也受到了这样评论，美国科学院的院士兼美国贝尔实验室副总裁说：李爱珍是中国半导体领域的杰出人物，属于国际一流水平。
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其实算下来在21世纪初，是有一批有研发精神的科学家，归根结底来说，还是当时国内的科研器材、技术等不足，使得我们的科学家不得不去美国留学深造。但是去深造容易，带着技术回来就不容易了。李爱珍评选院士落榜，其实也不能说是因为规则，或者其他不客观原因。其实主要原因还是，虽然李爱珍院士的技术领先于国内，但是相对于美国来说，还有一定的距离。不过还是希望院士的评定，能够有一定的动态参考线，例如：不能说现在要量产出来3nm芯片就能当院士，应当是哪怕能量产7nm就可以当院士，即便是7nm在国外可能已经落伍了，你们认为呢？
注：李爱珍仍然是中国国籍，是中国首个当选美国院士的外籍院士。
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