原文:
通过转向1700V SiC MOSFET,无需考虑功率转换中的权衡问题
ADI 功率驱动器
LC书房斋 阅89
SiC 器件和封装技术现状
启云_9137 阅242 转2
功率器件的演变
毕杰lb7q1kq7pr 阅67
为SiC MOSFET选择合适的栅极驱动芯片,需要考虑几个方面?
小草供销社 阅357
聚焦“SiC”与“GaN”
ldjsld 阅1840 转21
碳化硅(SiC):经历46亿年时光之旅的半导体材料
wzawxt 阅321 转16
SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别
六云ocbohngfbq 阅177 转8
集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
杨和果 阅94 转3
三极管和MOSFET选型规范
汉无为 阅123 转3
功率器件|美国Microsemi将发布下一代1200V MOSFET和700V肖特基势垒二极管器件
大国重器元器件 阅72
东南大学科研团队发表基于开关轨迹优化的SiC MOSFET有源驱动电路研究综述
电气技术杂志社 阅8
【详解】开关电源电路选择,方案选择指南!
yxhzcr 阅761 转14
SiC会一统天下吗?
rookie 阅512 转11
SiC芯片市场将迎来大爆发
以撒桑 阅194 转7
半导体材料知多少?SiC器件与Si器件性能比较
hxqdou 阅1062 转6
功率半导体——实现碳中和的关键器件
AIpatent 阅15 转2
评估 SiC MOSFET 和 SiC IGBT
Power_AZ 阅222
市场一片火热,第三代半导体——碳化硅究竟用在哪?
DT_Carbontech 阅189
碳化硅应用十年沉浮录
芯片失效分析 阅15
功率晶体管的历史和新兴设计
0百味书屋0 阅51 转3
有了GaN加持,硅MOSFET将增加多少优势?
llilang 阅470 转4
大功率半导体技术现状及其进展
carlshen1989 阅103 转2
罗姆SiC新进展:产能将扩建35倍,车载应用从电动压缩机到主驱
NE时代 阅15
Si & SiCGaN--前浪&后浪
yiyidaodao 阅44
UC头条:优化SiC MOSFET的栅极驱动
青松青又青 阅15
IGBT开关特性:栅极电阻的影响
我爱你文摘 阅692 转2
超详细!SiC电源-驱动工业设备的辅助电源解决方案
无悔大哥chen 阅873 转4
光伏逆变器拓扑结构及设计思路
共同成长888 阅1724 转13
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