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浅析IGBT门级驱动
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Motion SPM? 智能功率模块
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IGBT开关特性:栅极电阻的影响
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IR2111和IR2130在PWM直流伺服系统中的应用
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隔离驱动IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧
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无刷电机驱动电路结构解析
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半导体功率器件分类
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聚焦“SiC”与“GaN”
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电磁炉IGBT功率管的认识、测量以及好坏判断.
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PWM开关电源内部的主要损耗
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碳化硅(SiC):经历46亿年时光之旅的半导体材料
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TLP250功率驱动模块在IRF840 MOSFET中的应用
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SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别
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集成SiC SBD的6.5kV全SiC MOSFET功率模块
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功率晶体管的历史和新兴设计
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三极管和MOSFET选型规范
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开关电源为什么需要高频变压器
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SiC 器件和封装技术现状
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开关电源原理及其应用
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汽车动力总成系统中的牵引逆变器从IGBT向碳化硅转变是如何提升驾驶体验
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通过转向1700V SiC MOSFET,无需考虑功率转换中的权衡问题
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功率器件|美国Microsemi将发布下一代1200V MOSFET和700V肖特基势垒二极管器件
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ADI 功率驱动器
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