原文:
聚焦“SiC”与“GaN”
【回顾与展望】罗姆领先SiC技术助力新基建
ChinaAET 阅29
SiC与GaN,谁拥有更广阔的星辰大海?
mrjiangkai 阅19
罗姆SiC新进展:产能将扩建35倍,车载应用从电动压缩机到主驱
NE时代 阅15
碳化硅(SiC):经历46亿年时光之旅的半导体材料
wzawxt 阅321 转16
平面型 OR 沟槽型,行业谁具有话语权?碳化硅(SiC)MOSFET的未来发展方向
DT_Carbontech 阅540 转6
GaN Systems与罗姆联手致力于GaN功率器件的普及
新用户59611727 阅66
宽禁带|如何提高GaN和SiC的可靠性,还有哪些问题需解决?听听产业界的讨论
大国重器元器件 阅395 转3
英飞凌碳化硅产品系列有何不一样?
leafcho 阅108 转2
ADI 功率驱动器
LC书房斋 阅89
SiC Mosfet功率
小草供销社 阅525 转8
SiC-MOSFET特征及与Si-MOSFET、IGBT的区别
六云ocbohngfbq 阅176 转8
新一代功率半导体替代传统硅器件从抢占IGBT市场开始
王飞ikn170y8gm 阅323
关于功率MOS管上的正、负电压浪涌对策
新用户25123383 阅655 转2
《罗姆1700V碳化硅MOSFET分立器件:SCT2H12NZGC11》
郑公书馆298 阅156 转3
中国SiC,“挖坑”了吗?
Rivalry 阅22 转2
罗姆:开发出导通电阻降低20%的“功率半导体”
Gochi信息发布 阅10
【功率元件4.0】GaN扬帆,新一代产品欲取代SiC
haosunzhe 阅49
碳化硅(SiC)会是功率器件的终极选择吗?
hxqdou 阅852 转10
最新超级结MOSFET技术还能否与第三带半导体一教高下?
毕杰lb7q1kq7pr 阅40
Si & SiCGaN--前浪&后浪
yiyidaodao 阅44
超详细!SiC电源-驱动工业设备的辅助电源解决方案
无悔大哥chen 阅872 转4
SiC市场将迎来大爆发
东东Wr 阅355 转2
新能源汽车应用推动,功率半导体市场不断壮大!
天正恒业168 阅389 转4
元器件生产的明天(一)——SiC模块产品特点之图片说明
ROHM1958 阅148
捷捷微电研究报告:进击的mosfet小巨人,跨越半导体周期
悠悠道长 阅5
IGBT开关特性:栅极电阻的影响
我爱你文摘 阅692 转2
干货 | 功率器件的dv/dt和di/dt有多大?
胡8idvb1dlc79n 阅255 转3
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