原文：国内首个80纳米“万能存储器”制备成功
我国成功研制80纳米万能存储器核心器件
zhuxrgf    阅118
STT-MRAM成为存储器的新希望？
奔跑在成长路上    阅182    转2
MRAM，准备好成为主流了吗？
山蟹居    阅13
【AET原创】如何拥抱下一代存储器MRAM
ChinaAET    阅96
Everspin开始生产1Gb容量STT-MRAM存储器：容量再次突破、采用28nm工艺制造
超能网    阅107
STT-MRAM非易失存储器特点及应用
英尚微电子    阅6
什么是STT-MRAM？
路人甲Java    阅49
磁性器件|日本东北大学研制出世界最小（2.3nm）高性能磁隧道结（MTJ），工作温度可达200℃
大国重器元器件    阅355    转3
证实了世界最高性能的自旋电子学界面多铁氧体结构--通往自旋电子学器件电压信息写入技术的新途径--
Wsz6868    阅28
一文了解新型存储技术
suiming2000    阅24    转3
嵌入式存储的下一步：STT-MRAM
张问骅    阅14
这种新型存储，国内要爆发了？
知芯世界    阅11
新型自旋转移矩磁性随机存储器：写入速度达14纳秒！
秋水共蓝天    阅62
永不失忆的计算机芯片
金戈001    阅60
MCU三巨头，三种选择
李清龙1023    阅10
拓扑绝缘体的一个新突破
人老颠东    阅104    转3
MRAM工作原理技术
Coder编程    阅91
MRAM、PRAM和RRAM：速度比闪存快1000倍的新型存储器技术 | 爱板网
留留酱    阅1336    转15
【专访】美光科技研发高管：DRAM行业变得“成熟了” - 半导体 - 日经技术在线！ - 工程师的技术支援信息网站
myriad    阅138    转3
5nm缓存技术：STT-MRAM与SRAM有什么不同？
天正恒业168    阅262