原文：深度剖析CMOS、FinFET、SOI和GaN工艺技术
浅谈半导体工艺变革
Long_龙1993    阅924    转17
终于有人把CMOS、SOI和FinFET技术史梳理清楚了
leafcho    阅29969    转211
半导体器件中材料、工艺结构、模型之间的关系
闰木L    阅123    转2
3nm以后的晶体管选择
漫步之心情    阅707    转10
晶体管发展历史
Rivalry    阅1294    转17
集成电路制造技术简史
文丰馨    阅1172    转29
FDSOI与深度耗尽沟道DDC器件
zhuan3002    阅1281    转18
纳米片晶体管是摩尔定律的下一步，也许是最后一步！
mrjiangkai    阅208    转8
前沿 | 揭秘3nm/2nm工艺的新一代晶体管结构
liuaqbb    阅50    转2
最后的硅晶体管，纳米片器件也许是摩尔定律演进的最后一步
道藏三千零一    阅145
拯救摩尔定律，要靠纳米级芯片？
一点进步    阅38
TI：GaN（氮化镓）将推动电源解决方案的进步
帝企鹅加林    阅1122    转20
氮化镓(GaN)技术提供的重大机遇
cqukelly    阅82    转3
氮化镓(GaN)解决方案如何实现更高的能源效率？
金刚光    阅345    转2
空间应用|EPC公司+VPT公司联合成立EPC Space公司，专注提供用于空间任务的氮化镓（GaN）晶体管
大国重器元器件    阅204
Intel 14/10nm花式吊打三星、TSMC，还要跟GF抢市场
超能网    阅62
传统的硅晶体管或被它取代
hse_hzh    阅91
胡正明：技术创新可能让半导体晶体管密度再增加1000倍.胡正明发明了鳍型晶体管（FinFET）以及「全耗尽型绝缘层上硅晶体管」（FD-SOI），两大革命性创新为半导体带来新契机
xhz0734    阅123    转2
多少年了，终于明白了FinFET与FD-SOI制程
郑公书馆298    阅787    转13
芯片中有100多亿晶体管，它们是如何安上去的？
饮膳道人    阅327    转9
中国科学家的1nm晶体管设计 惊艳了全世界：前途一片光明
兰亭文艺    阅55    转2
1nm将如何实现？
阿明哥哥资料区    阅255    转7
3纳米芯片工艺节点所面临的技术难点：实现难度大幅增加
懒人葛优瘫    阅1804    转5
实现1nm以下的工艺，有了新方案
James5291    阅62