MOS管(场效应管)是电压驱动型器件，只要驱动电压满足要求就可以驱动MOS管导通

MOS管是电压驱动型元件，在设计MOS管驱动电路时，需要注意所选用MOS的导通维持电压（Vgs）。如果驱动电压达不到导通维持电压（Vgs)，MOS管就不能稳定、可靠的导通。

MOS管驱动电路分析

在设计电子产品的时候，单片机的工作电压有可能是1.8V、3.3V、5V。因为驱动MOS管并不需要太多的电流，如果单片机IO的驱动电压合适，可以直接驱动MOS管的。比如所选择的MOS的VGS最小值为2.5V，单片机的工作电压为5V，那么IO直接驱动MOS管是完全没有问题的

N MOS管:DR为高电平时导通，DR为低电平时断开

P MOS管:DR为低电平时导通，DR为高电平时断开

如果单片机IO的驱动电压不能满足MOS管的VGS要求，比如MOS管的VGS最小为3~4.5V，而单片的工作电压为3V，如果直接用IO驱动MOS管，是不可靠的，需要加入三极管驱动。三极管是电流型的驱动器件，只要给三极管的基极提供驱动电流就可以导通，再通过三极管的集电极给MOS管提供驱动电压。

N MOS管:DR为低电平时导通，三极管截止，三极管的集电极为高电平，可以驱动MOS导通；DR为高电平时，三极管导通，三极管的集电极为低电平，N MOS管就断开了。

P MOS管:DR为高电平时导通，三极管导通，三极管的集电极为低电平，可以驱动MOS导通；DR为低电平时，三极管截止，三极管的集电极为高电平，P MOS管就断开了。

所以MOS的驱动是否加入三极管需要根据实际应用而定！并不能一概而论！

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