MOSFET场效应晶体管的设计注意事项

一、功率场效应晶体管对栅极驱动电路的要求主要有：

1、触发脉冲须具有足够快的上升和下降速度，脉冲前后沿要陡峭。

2、开通时，以低电阻对栅极电容充电，关断时为栅极电荷提供低电阻放电回路，以提高功率MOSFET的开关速度。

3、为了使功率MOSFET可靠触发导通，栅极驱动电压应高于器件的开启电压，为了防止误导通，在功率MOSFET截止时最好能提供负的栅-源电压。

4、功率,MOSFET开关时所需的驱动电流为栅极电容的充放电电流，为了使开关

波形有足够的上升和下降陡度，驱动电流要大。

二、过电压保护主要有：

1、防止栅-源过电压。如果栅-源间的阻抗过高，则漏-源间电压的突变会通过

极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅-源尖峰电压。这一电压会使栅!源氧化层击穿，造成永久性损坏。如果是正方向的Vgs瞬态电压，还会引起器件的误导通，导致该器件或电路其它器件产生瞬态电流过载。解决的办法是适当降低栅极驱动电路的阻抗，在栅-源间并接阻尼电阻，或并接约20V 的齐纳二极管，尤其要防止栅极开路工作。

2、防止开关过程的漏-源过电压。如果器件接有感性负载，则当器件关断时，漏极电流的突变（di/dt）会产生比外电源还高的漏极尖峰电压，导致器件击穿。功率MOSFET关断得越快，产生的过电压越高。为此，需在MOSFET中设置保护电路来吸收浪涌电压。解决方法一般为加入RC缓冲电路和感性负载的二极管箝位电路。

发生短路时，功率MOSFET漏-源电流迅速增加并超过额定值，此时由于在功率MOSFET上加了高电压、大电流，必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOSFET，否则器件将被烧毁。