功耗降低40% ，16Gb 1z nm DDR4正式量产

更多的科技展现，需要更强的芯片支持，在芯片开发上，科技企业的竞争从未停止过。

手机内置上，除了处理器的核算能力重要，存储功能同样重要。

目前存储芯片上， 我们还有很长一段路要走。

日期，据TPU的报道，美光已经开始量产1z nm(12nm到14nm)的16Gb DDR4，该芯片密度更高，功耗也降低了40%。

据该媒体报道称，1z nm与前一代1Y工艺相比，在比特密度上会大大强于1Y，性能也略有提升，最主要是它的成本比1Y更低。不仅如此，与前几代8Gb DDR4 RAM解决方案相比，1z nm还使功耗降低了40%。

目前，美光已宣布，公司已经开始批量出货业界容量最大的单片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM，而1z nm LPDDR4X和uMCP4最终量产入市，主要在于提升智能手机的存储功能。

众所周知，DRAM市场上三星也是雄霸一方的主，对于美光的此次动作，三星在去年春季已宣布，将在今年下半年开始生产1z nm 8Gb DDR4模块，为下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6内存产品的推出做准备。

芯片科技，竞争更为激烈。