据了解，2019年由于受世界经济发展的增速减缓、整机厂商的去库存化等综合因素的干扰，全球半导体产业普遍处于下滑态势。
作为半导体产业里的关键产品之一，集成电路领域的发展趋势备受关注。
集成电路(integratedcircuit)是一种微型电子器件或部件。缩写为IC；采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构;是使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面发展的核心因素之一。
根据Gartner报告显示，2019年全球半导体收入总计4,183亿美元，相比2018年下滑了11.9%。从国内情况来看，受到全球半导体市场下滑影响，我国集成电路产业2019年增速也出现显著下降，根据中国半导体行业协会统计，2019年1-9月，中国集成电路产业销售额5,049.9亿元，同比增长13.2%，增速同比下降了9.2个百分点。
据中商产业研究院数据库显示，2020年1-2月中国集成电路出口量有所增长，2020年1-2月中国集成电路出口量为327.2亿个，同比增长13.6%。
芯片失效分析实验室介绍，能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作，开展从底层芯片到实际产品，从物理到逻辑全面的检测工作，提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务，同时可开展模拟重现智能产品失效的现象，找出失效原因的失效分析检测服务，主要包括点针工作站（Probe Station）、反应离子刻蚀（RIE）、微漏电侦测系统（EMMI）、X-Ray检测，缺陷切割观察系统（FIB系统）等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析，为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
巨头企业跨界半导体领域
2020年，深圳宝安湾腾讯云计算有限公司正式成立，注册资本为2000万元，由腾讯云的运营主体腾讯云计算(北京)有限责任公司全资控股，法定代表人为腾讯云副总裁王景田。
值得注意的是，天眼查数据显示，该公司的经营范围除了计算机技术服务和信息服务;大数据处理技术的研究、开发;以及应用软件开发外，还包括集成电路设计、研发等。
事实上，当前各企业跨界进入半导体领域已经屡见不鲜，例如康佳、格力等知名家电企业;小米、华为等智能手机厂商;而在BAT领域，百度、阿里也是都在跨界造“芯”企业中的大将。
集成电路产业链成各城市的“经济武 器”
2020年2月底，在安徽省合肥市重大产业项目集中(云)签约仪式上，总投资50亿元、年产360万片的协鑫集成再生晶圆项目，正式落户肥东机器人产业小镇。据悉这一填补国内自主再生晶圆量产空白项目的进驻，将带动肥东乃至安徽产业上下游企业集聚发展，助推肥东打造成国内大规模的再生晶圆生产基地。
3月12日，总投资130亿元的8个环电子科大集成电路重点项目在四川成都高新区集中开工，IC设计产业总部基地启动建设，据官方表示，该项目总投资约13.14亿元，计划于2022年12月完工，将以构建IC设计产业生态圈为战略，聚焦5G、微波、物联网、功率半导体、MEMS、IP、人工智能等特色领域，将联动电子科大，协同周边封测、制造等配套产业，构建中国西部“创芯谷”，成为IC产业“示范区”。
3月18日，海芯中国区总部及集成电路研发生产基地项目在广州南沙开工。该项目预计建成完成后，将生产功率器件、MOSFET、IGBT、数模混合、微机电、单片机等产品，达产年将形成年产8英寸芯片42万片，12英寸芯片8万片的生产能力。
千家总结：可见，在物联网信息技术时代，拥有集成电路完整产业供应链以及具有特色的核心技术，将是未来各省市地区发展经济和提升竞争力的关键点。
第三代半导体渐成市场焦点厂商紧抱SiC这块“蛋糕”
最近，第三代宽禁带半导体的碳化硅SiC被提及的比较多，各大厂家(像Infineon、Cree、Rohm等)也都在积极进行碳化硅产品的布局。
功率半导体器件最为功率变换系统的核心器件，适用于高压低损耗的第三代宽禁带半导体的 SiC 器件未来可期。
随着5G、电动车等新应用兴起，第三代化合物半导体材料逐渐成为市场焦点，看好碳化硅(SiC)等功率半导体元件，在相关市场的优势与成长性，许多IDM、硅晶圆与晶圆代工厂，均争相扩大布局；即便近来市场遭遇疫情不确定因素袭击，业者仍积极投入，盼能抢在爆发性商机来临前，先站稳脚步。
目前全球95%以上的半导体元件，都是以第一代半导体材料硅作为基础功能材料，主要应用在资讯与微电子产业，不过，随着电动车、5G等新应用兴起，推升高频率、高功率元件需求成长，矽基半导体受限硅材料的物理性质，在性能上有不易突破的瓶颈，也让厂商开始争相投入化合物半导体领域。
第三代半导体材料包括氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等宽频化合物半导体材料，其中，碳化硅具备低导通电阻、高切换频率、耐高温与耐高压等优势，可应用于 1200 伏特以上的高压环境。
相较于氮化镓，碳化硅更耐高温、耐高压，较适合应用于严苛的环境，应用层面广泛，如风电、铁路等大型交通工具，及太阳能逆变器、不断电系统、智慧电网、电源供应器等高功率应用领域。
近来随着电动车与混合动力车发展，碳化硅材料快速在新能源车领域崛起，主要应用包括车载充电器、降压转换器与逆变器。且据研究机构 IHS 与 Yole 预测，碳化矽晶圆的全球电力与功率半导体市场产值，将从去年的 13 亿美元，扩增至 2025 年的 52 亿美元。
在IDM厂方面，除英飞凌(Infineon)、罗姆(ROHM)等 IDM 大厂积极布局外，安森美半导体(ON Semiconductor)也在本月与GTAT签订5年碳化硅材料供给协议。
虽然受限成本与技术门槛较高、产品良率不高等因素，使碳化硅晶圆短期内难普及，但随着既有厂商与新进者相继扩增产能布局，且在电动车、5G等需求持续驱动下，可望加速碳化硅晶圆产业发展。
就目前来说，SiC和氮化镓GaN都属于宽禁带半导体，SiC功率器件具有高品质的外延晶片以及比GaN更成熟的工艺技术，所以其在高压应用中更具吸引力。在大型硅晶片上异质外延生长的GaN基横向开关器件在相对低电压的应用中显示出很大的前景。当然，两者以及Si的发展还需要基于其生产设备以及工艺技术来评估。
联系客服
