​晶体管“20世纪最伟大的发明”

1947年12月23日，第一个基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管面世，标志着现代半导体产业的诞生和信息时代正式开启。

点接触式晶体管：把间距为50μm的两个金电极压在锗半导体上，微小的电信号由一个金电极(发射极)进入锗半导体(基极)并被显著放大，然后通过另一个金电极(集电极)输出，这个器件在1kHz的增益为4.5。

在晶体管诞生之前，放大电信号主要是通过电子管(真空三极管)，但由于制作困难、体积大、耗能高且使用寿命短，人们一直希望能够用固态器件来替换它。

1945年，贝尔实验室开始对包括硅和锗在内的几种新材料进行研究，探索其潜在应用前景。一个专门的“半导体小组”成立了，威廉·肖克利(WilliamShockley)担任组长，成员包括约翰·巴丁(JohnBardeen)和沃尔特·布拉顿(WalterBrattain)。

在经过多次失败之后，他们终于在74年前的今天，实现了第一个半导体晶体管，也就是上文所述的基于锗半导体的具有放大功能的点接触式晶体管。肖克利、巴丁和布拉顿也因此获得了诺贝尔物理学奖。

晶体管

巴丁(左)、布拉顿(右)和肖克利因为晶体管的发明，共同获得了1956年的诺贝尔物理学奖。

从实用的角度看，点接触式晶体管的产量非常有限，不能算是商业上的成功；但它的发明意义重大，巴丁、布拉顿和肖克利也因此获得了1956年的诺贝尔物理学奖。

晶体管被誉为“20世纪最伟大的发明”，它的出现为集成电路、微处理器以及计算机内存的产生奠定了基础。

20世纪五六十年代，肖克利在推动晶体管商业化的同时，造就了如今加州电子工业密布的硅谷地区。晶体管发明的历史非常复杂，牵扯到科学和技术、团体和社会之间的微妙关系。

现如今，从播放音乐、合成语音、存储数据、数码摄影、GPS定位到传输和处理互联网上的海量数据，我们的日常生活中芯片已经成为不可或缺的产品。

这其中，有一些芯片直接或间接地为改变世界的一些产品赋能，影响了整个计算世界。