化合物半导体——GaAs、InP

Ø砷化镓等材料的电子迁移率差不多是硅材料的6倍。它们的峰值电子速度也是硅饱和速度的2倍多。禁带宽度和临界击穿场强也比硅高，因此是制造高频电子器件的理想材料。目前砷化镓是化合物半导体的主流材料，全球砷化镓高频电子器件和电路的年产值24亿美元。Ø磷化铟器件的电子迁移率高达10000cm2/V﹒s，比砷化镓还高，所以其高频性能更好，工作频率更高，且有更低的噪声和更高的增益。目前在100GHz左右的3mm波段多数都用磷化铟器件。

Ø碳化硅原子束缚能力非常强，禁带宽度很宽，机械硬度也很高，在20世纪80年代人们逐步掌握了碳化硅晶体的生长技术后，90年代用于蓝光发光材料，同时以碳化硅材料为基础的电力电子器件和微波功率器件也相继问世。Ø实验表明，氮化镓具有更好的发光性能，因此蓝光发光领域内碳化硅已被氮化镓代替，目前氮化镓是蓝光和白光发光器件的主流材料。同时，人们还发现在微波功率放大领域，氮化镓的输出微波功率比砷化镓和硅高出一个数量级以上。

Ø金刚石具有最大的禁带宽度、最高的击穿场强和最大的热导率，被称为最终的半导体。此外，极窄带隙半导体材料，如InAs（0.36eV）等，也被人们广泛研究。Ø石墨烯与碳纳米管等半导体材料#半导体# #芯片# #科技#