格罗方德公司宣布其先进的锗硅（SiGe）产品9HP现已可在该公司300mm晶圆制造平台上进行原型制造。通过利用格罗方德公司的300毫米制造技术，客户可以提高生产效率和规模，用于光纤网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达等高速应用。
格罗方德公司位于美国佛蒙特州伯灵顿的200毫米生产线上的高性能SiGe制造解决方案是行业领导者。将9HP（一种90nm SiGe工艺）迁移到格罗方德公司位于纽约州东费什基尔的Fab 10工厂的300mm晶圆线上生产，并为下一步的路线图发展建立了300mm的立足点，以确保持续的技术性能增强和可扩展性。
格罗方德公司射频业务部门副总裁Christine Dunbar表示：“高带宽通信系统日益增加的复杂性和性能需求已经产生了对更高性能硅解决方案的需求，我们公司的9HP专门设计在该领域用于提供出色的性能，300mm制造将支持我们客户对高速有线和无线元器件的需求，这些元器件将影响未来的数据通信。”
格罗方德公司的9HP延续了高性能SiGe BiCMOS技术的悠久历史，旨在支持微波和毫米波频率的极高数据速率需求的大幅增长，用于下一代无线网络和通信基础设施，如高级光纤网络、5G毫米波和卫星通信（SATCOM）以及仪器和国防系统。该技术提供卓越的低电流/高频性能，改善了异质结双极晶体管（HBT）性能，与之前的SiGe 8XP和8HP相比，最大振荡频率（Fmax）提高了35%，为370GHz。
在纽约州东费什基尔的Fab 10工厂，客户9HP原型产品正在基于300mm的多项目晶圆（MPW）进行中，预计2019年第二季度将获得合格的工艺和设计组件。
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