美国IHS Markit市场咨询公司的功率半导体首席分析师Richard Eden在一份新报告中表示，到2020年，受混合动力和电动汽车，电源和光伏（PV）逆变器的需求推动，SiC和GaN功率半导体的新兴市场预计将达到近10亿美元。2017年后的复合年增长率（CAGR）将达到35％以上，到2027年达到100亿美元。
预计到2020年，硅基氮化镓晶体管的价格将实现与硅MOSFET和IGBT平价，且具有同样出色的性能。一旦达到这一水平，预计2024年氮化镓电力器件市场规模将达到6亿美元，并在2027年攀升至17亿美元以上。
SiC行业有望持续强劲增长，主要受到混合动力和电动汽车销售增长的推动。市场渗透率也在增长，特别是在中国，肖特基势垒二极管、MOSFET、结栅极场效应晶体管（JFET）和其他SiC分立器件已经出现在大量生产的汽车DC-DC转换器和车载电池充电器中。
采用SiC MOSFET而非硅绝缘栅双极晶体管（IGBT）的动力总成主逆变器越来越有可能在三到五年内开始出现在市场上。由于主逆变器使用的器件比直流-直流转换器和车载充电器要多，因此所需的器件数量也将迅速增加。逆变器制造商最终可能会选择SiC分立器件来定制全SiC电源模块。
除车载SiC器件数量将增加外，随着全球政府减少空气污染的压力，降低对燃料化石汽车的依赖，使得电池电动车和插电式混合动力电动车的全球需求将在2017年和2027年之间增加10倍。中国、印度、法国、英国和挪威已经宣布计划在未来几十年内禁止使用内燃机汽车，并用更清洁的汽车取而代之。电气化车辆的前景，特别是宽禁带半导体的前景非常好。
GaN器件可能是SiC器件大规模增长的最大竞争对手。第一款符合汽车AEC-Q101标准的氮化镓晶体管于2017年由Transphorm公司推出。采用GaN外延晶片制造的GaN器件的成本更低，比SiC产品都更容易制造。由于这些原因，加之SiC MOSFET器件成本较高，GaN晶体管可能成为2020年代后期逆变器的首选。
近年来出现了GaN系统集成电路，这些集成电路是将GaN晶体管与Si栅极驱动器IC或GaN芯片共同封装。如果这些GaN系统集成电路性能满足手机、笔记本电脑充电器以及其它大批量应用领域，则可能在更广阔的范围内应用。
此外，商用GaN功率二极管一直未真正开始研发。因为，性能不会优于硅功率器件，且成本过高。SiC肖特基二极管已经开始应用，且价格发展走向已有清晰预测。
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